北京華測(cè)高頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗試驗(yàn)機(jī)

一、北京華測(cè)高頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗試驗(yàn)機(jī)符合標(biāo)準(zhǔn)： 
      GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法。

  
二、北京華測(cè)高頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗試驗(yàn)機(jī)產(chǎn)品概述：    
    1、主要用于測(cè)量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。主要可以測(cè)量電容器、互感器、變壓器、絕緣紙、電容器薄膜等各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗(tgδ)和電容量( Cx)，其測(cè)量線(xiàn)路采用“正接法”即測(cè)量對(duì)地絕緣的試品。由于電橋內(nèi)附有一個(gè)2500KV的高壓電源及一臺(tái)高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器，并將副橋和檢流計(jì)與高壓電橋有機(jī)的結(jié)合在一起，特別適應(yīng)測(cè)量各類(lèi)絕緣油和絕緣材料的介損(tgδ)及介電常數(shù)(ε)。
   2、橋體本身帶有5kV/100pF標(biāo)準(zhǔn)電容，測(cè)量材料介損更為方便。
   3、橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀，外圍接線(xiàn)及少。
   4、橋體采用了多樣化的介損測(cè)量線(xiàn)路。 

三、北京華測(cè)高頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗試驗(yàn)機(jī)技術(shù)參數(shù)：
     1、測(cè)量范圍及誤差 
               在Cn＝100pF    R4＝3183.2(Ω)(即10K/π)時(shí)
     測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差
    電容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF
   介質(zhì)損耗tgδ 0～1 ±1.5％tgδx±1×10-4
             在Cn＝100pF    R4＝318.3(Ω)(即1K/π)時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差
電容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±2pF
介質(zhì)損耗tgδ 0～0.1 ±1.5％tgδx±1×10-4
 Cx＝R4×Cn/R3
tgδ＝ω?Ｒ４?Ｃ４
高壓電源技術(shù)特性
電壓輸出：0～2500V/50Hz
高壓電流輸出：0～20mA
內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)電容器
電容量的名義值為100pF
tgδ小于5×10-5

四、北京華測(cè)高頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗試驗(yàn)機(jī)主要技術(shù)指標(biāo)：
高低壓電極之間距離：0～14mm可調(diào)
測(cè)量極直徑：￠38±0.1mm
高壓電極直徑：￠56±0.1mm
測(cè)量極與保護(hù)環(huán)間隙為1±0.05
空極tgδ：≤5×10-5
 測(cè)試電壓：2kV
實(shí)驗(yàn)頻率：50/60Hz
常溫或耐受溫度200℃(數(shù)字百分表不能加溫）
帶數(shù)字百分表測(cè)量范圍為0~12mm
制作技術(shù)指標(biāo)依據(jù)GB/T1303.2---2009
注：原材料為不銹鋼與聚四氟乙烯，接口為與電橋配套用專(zhuān)用插座（帶專(zhuān)用插頭）。

五、北京華測(cè)高頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗試驗(yàn)機(jī)固體絕緣材料測(cè)試電極：
   本電極適用于固體電工絕緣材料如絕緣漆、樹(shù)脂和膠、浸漬纖制品、層壓制品、云母及其制品、塑料、電纜料、薄膜復(fù)合制品、陶瓷和 玻璃等的相對(duì)介電系數(shù)（ε）與介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）的測(cè)試。本電極主要用于頻率在工頻50Hz下測(cè)量試品的相對(duì)介電系數(shù)（ε）和介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）。本電極的設(shè)計(jì)主要是參照國(guó)標(biāo)GB1409-2006。

本電極采用的是三電極式結(jié)構(gòu)，能有效的消除表面漏電流的影響，使測(cè)量電極下的電場(chǎng)趨于均勻電場(chǎng)。